[22p-P14-1~4] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[22p-P14-3] InP単結晶におけるテラヘルツ波放射の励起光強度依存性

〇長谷川 尊之¹、増田 快晴¹、藤元 章¹、小山 政俊¹、佐々 誠彦¹ (1.大阪工大工)

キーワード：超高速現象、テラヘルツ、表面電場

半導体結晶にフェムト秒レーザーを照射すると、さまざまな放射機構によってテラヘルツ波が放射される。表面電場が比較的大きなInPでは、光励起キャリアの非平衡輸送によるテラヘルツ波放射が主な研究対象となっており、非平衡輸送以外の放射機構に関する報告例は限られている。そこで本研究では、InP単結晶を試料として、励起光強度を系統的に変化させた実験から、他の放射機構の寄与について調査した。