[22p-P14-1~4] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[22p-P14-1] CaF₂埋め込み構造によるSi/CaF₂ p型共鳴トンネルダイオードのリーク電流低減

〇伊藤 滉悟¹、鈴木 優輔¹、星野 麻衣子¹、宇佐見 遼也¹、村上 寛太¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工)

キーワード：共鳴トンネルダイオード、微分負性抵抗

シリコン(Si)/弗化カルシウム(CaF₂)ヘテロ構造は，結晶構造が類似で格子定数が近いことからSi基板上に積層エピタキシャル成長が可能であり，以前からこれを用いた共鳴トンネルダイオード(RTD)の室温動作実証が報告されてきた。本研究では，ホール注入型のSi/CaF₂三重障壁構造RTDにおいて，従来のSiO₂埋め込み型と比べてリーク電流の低減が期待できるCaF₂埋め込み型RTD構造を提案し，素子作製及び微分負性抵抗特性及びリーク電流の評価を行った。