[22p-P15-1~9] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[22p-P15-1] Photoluminescence measurement of Er:O-doped silicon nano pillars at room temperature

〇Tomoki Ishii¹, Yuma Takahashi¹, Kaisei Uchida¹, Takumi Zushi¹, Shin-ichiro Sato², Enrico Prati³, Takahiro Shinada⁴, Takashi Tanii¹ (1.Waseda Univ., 2.QST, 3.CNR Italy, 4.CIES Tohoku Univ.)

Keywords:silicon nano pillars, photoluminescence measurement

Si中Erは内殻電子遷移に伴いシリカ系光ファイバの最低伝送波長である1.5μm帯の光子を放出するため、Siフォトニクスや量子通信への応用が期待されている。しかしながら、Si中のErからの室温発光強度は極めて低いことが課題となっている。そこで、私たちはSOI基板の表面近傍にErが注入されたナノピラーを形成し、このナノピラーによってフォトルミネッセンス計測強度を向上できるかを実験的に検証した。