[22p-P17-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22p-P17-10] Changes in electrical properties in AlGaN/GaN recessed structure formation

〇Tomohide Takahashi¹, Ryo Tsurumaki¹, Gaku Kamio¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:AlGaN/GaN Hetero Structures, Recess Structures, TLM Measurements

GaN系FETにおけるノーマリオフ型のデバイス動作実現には、一般的にリセス構造を有するデバイスが用いられている。AlGaN/GaNヘテロ構造においてリセスを行ったTLMデバイスを作製し、電気伝導特性への影響を調べたところ、特異なコンタクト抵抗の増大を確認し、報告した。今回、AlGaN/GaNヘテロ構造の試料にリセスの深さの異なるTLMデバイス2つとリセスのないTLMデバイスを作製し、電気特性を測定し、それぞれのシート抵抗とコンタクト抵抗を求めた。