The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Poster presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[22p-P17-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

Thu. Sep 22, 2022 4:00 PM - 6:00 PM P17 (Arena)

4:00 PM - 6:00 PM

[22p-P17-11] High temperature electrical properties in AlGaN/GaN recessed structure formation

Ryo Tsurumaki1, Tomohide Takahashi1, Gaku Kamio1, Hiroshi Fujioka2, Narihiko Maeda1 (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:AlGaN/GaN heterostructure, Recessed structure, High temperature properties

GaN系FETにおいてのノーマリオフ型のデバイス動作を実現するための構造としてリセス構造を用いたFETがある。以前、AlGaN/GaNヘテロ構造においてリセスを行ったTLMデバイスの電気伝導性への影響を調べ、オーミック電極における特異なコンタクト抵抗の増大を報告した。今回、同構造にて初期の電気特性の変化を、TLMデバイスを作製することにより室温さらには高温について調べ、シート抵抗及びコンタクト抵抗の高温動作の特徴を確認した。