[22p-P17-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-P17-10] AlGaN/GaNリセス構造形成における電気特性変化

〇高橋 智秀¹、鶴巻 綾¹、神尾 岳¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大学、2.東大生研)

キーワード：AlGaN/GaNヘテロ構造、リセス構造、TLM測定

GaN系FETにおけるノーマリオフ型のデバイス動作実現には、一般的にリセス構造を有するデバイスが用いられている。AlGaN/GaNヘテロ構造においてリセスを行ったTLMデバイスを作製し、電気伝導特性への影響を調べたところ、特異なコンタクト抵抗の増大を確認し、報告した。今回、AlGaN/GaNヘテロ構造の試料にリセスの深さの異なるTLMデバイス2つとリセスのないTLMデバイスを作製し、電気特性を測定し、それぞれのシート抵抗とコンタクト抵抗を求めた。