[22p-P17-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22p-P17-11] High temperature electrical properties in AlGaN/GaN recessed structure formation

〇Ryo Tsurumaki¹, Tomohide Takahashi¹, Gaku Kamio¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:AlGaN/GaN heterostructure, Recessed structure, High temperature properties

GaN系FETにおいてのノーマリオフ型のデバイス動作を実現するための構造としてリセス構造を用いたFETがある。以前、AlGaN/GaNヘテロ構造においてリセスを行ったTLMデバイスの電気伝導性への影響を調べ、オーミック電極における特異なコンタクト抵抗の増大を報告した。今回、同構造にて初期の電気特性の変化を、TLMデバイスを作製することにより室温さらには高温について調べ、シート抵抗及びコンタクト抵抗の高温動作の特徴を確認した。