[22p-P17-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-P17-11] AlGaN/GaNリセス構造形成における高温電気特性

〇鶴巻 綾¹、高橋 智秀¹、神尾 岳¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.東大生研)

キーワード：AlGaN/GaNヘテロ構造、リセス構造、高温特性

GaN系FETにおいてのノーマリオフ型のデバイス動作を実現するための構造としてリセス構造を用いたFETがある。以前、AlGaN/GaNヘテロ構造においてリセスを行ったTLMデバイスの電気伝導性への影響を調べ、オーミック電極における特異なコンタクト抵抗の増大を報告した。今回、同構造にて初期の電気特性の変化を、TLMデバイスを作製することにより室温さらには高温について調べ、シート抵抗及びコンタクト抵抗の高温動作の特徴を確認した。