[22p-P17-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-P17-4] UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長メカニズム(Ⅲ)

〇齋藤 元希¹、永山 陸¹、吉田 圭佑¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：スパッタ、窒化ガリウム

我々は，超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法を用いてGaN系半導体の成長を行っている．これまで，N₂/Ar反応ガスの混合比または基板温度を変化させ， GaN層の結晶構造について検討を行ってきた．その結果，成長条件によっては，立方晶系のGaN層が成長することが解った．今回は，スパッタリング法によるGaN層の成長において，N₂/Ar反応ガスの混合比と基板温度の両方を変化させた際の結晶構造について検討を行ったので報告する．