[22p-P17-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-P17-7] 局在型表面プラズモン共鳴と誘電体薄膜によるInGaN/GaN量子井戸の高効率緑色発光

〇(M1C)亀井 勇希¹、垣内 晴也¹、松山 哲也¹、和田 健司¹、船戸 充²、川上 養一²、岡本 晃一¹ (1.阪公大工、2.京大院工)

キーワード：プラズモニクス、窒化物半導体、InGaN

表面プラズモン(SP)共鳴によるInGaN/GaN量子井戸の高効率発光において、Ag/GaN界面を用いた場合、SP共鳴波長を緑色波長域に調整することは困難であった。そこで我々はGaNとAgの間にSiO₂薄膜を挟むことで、SP共鳴波長を短波長化し、InGaN/GaNの緑色発光を16倍に著しく増強できることを前回報告した。今回は時間分解フォトルミネッセンス(PL)測定やPL強度の温度依存性測定によって、高効率発光機構の詳しい解明を試みた。