[23a-A202-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [23a-A202-6] P⁺⁺ソース・ドレイン層を導入した2DHGダイヤモンドMOSFETsの放射線照射効果

〇(B)賈 学テイ¹、鈴木 優紀子¹、出口 祐靖²、浅井 風雅¹、高橋 輝¹、太田 康介¹、平岩 篤¹、金子 純一²、川原田 洋^1,3 (1.早大理工、2.北大工、3.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFETs、耐放射線性

本研究では、P⁺⁺ソース・ドレイン層層および高温ALD法による高品質なAl₂O₃ゲート絶縁膜を持つダイヤモンドMOSFETsを作製し、耐放射線性を検証した。3 MGyのX線照射後、最大ドレイン電流密度は照射前の787mA/mmから517mA/mmになった。照射量の増加につれ、相互コンダクタンスg_mが減少したが、依然としてゲートによる変調効果が確認でき、ダイヤモンドの優れた耐放射線性が実証された。