[23a-A202-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [23a-A202-9] 超伝導ソース・ドレイン間のチャネル微細化と極低温(1.6 K)でのドレイン電流変調

〇(B)竹内 雅治¹、若林 千幸¹、高橋 康裕¹、太田 康介¹、蔭浦 泰資^1,2、高野 義彦³、立木 実³、大井 修一³、有沢 俊一³、川原田 洋^1,4 (1.早大理工、2.産業技術総合研究所、3.物質・材料研究機構、4.早大材研)

キーワード：超伝導、FET、ダイヤモンド

超伝導FETは、ゲート電圧の印加によって、臨界電流の制御が可能である。ダイヤモンドは同一材料で半導体と超伝導体のハイブリッドデバイスの作製が可能であり、本研究ではソース・ドレイン電極に超伝導ダイヤモンド、チャネルに水素終端による2DHGを用いたFETについてチャネル長100 nmまで微細化し、ダイヤモンド超伝導FETの実現可能性を検討した。結果、1.6 Kの極低温環境でFET動作することを確認した。