[23a-A401-1~6] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23a-A401-5] 静電噴霧法による酸化ガリウム薄膜の作製

〇(M1)芝原 拓哉¹、李 陳毅展¹、大谷 直毅¹ (1.同志社大理工)

キーワード：半導体

半導体の中でも、高電圧・大電流を制御するパワーデバイスに最も主流に用いられている材料はシリコンであるが、シリコン(Si)の物性値の限界によりこれ以上の高効率化は見込めないと言われている。そこで注目されているのがワイドギャップ半導体である。本研究では酸化ガリウムを静電噴霧法によって成膜し、Ga₂O₃薄膜を作製し、基板表面の観察やシート抵抗値の測定を行った。