[23a-B101-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [23a-B101-4] 結合状態を制御した窒化ホウ素膜の高速堆積に向けた窒素ラジカルフラックス最大化に関する研究

〇朝本 雄也^1,5、濱野 誉^1,5、松田 崇行¹、野間 正男²、長谷川 繁彦³、山下 満⁴、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工、2.神港精機、3.阪大産研、4.兵庫県立工技センター、5.学振特別研究員DC)

キーワード：窒素ラジカルフラックス、窒化ホウ素、結合状態制御

窒化ホウ素(BN)は複数の結合状態(sp², sp³結合)をとりうる材料である．特にsp³結合相からなるc-BNは超高硬度工具被覆材料として注目されている．sp³結合相を含むBN膜の高速堆積には，基板へのBフラックスの増加とともに，Nラジカルフラックス・イオン運動量フラックスの両方を高める必要がある．本研究では，放電解析に基づき，基板へのイオン衝撃を担保しつつNラジカルフラックスを最大化する方法論を提示する．