[23a-B201-1~12] 10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス

[23a-B201-9] BiSbトポロジカル絶縁体/NiO/Co接合におけるNiO障壁高さの評価

〇南波 章太¹、高橋 茂樹²、平山 義幸²、ファム ナムハイ¹ (1.東工大、2.サムスン日本)

キーワード：NiO、BiSb、SOT-MRAM

SOT-MRAMの応用に際して，NiO中間層が注目されている．NiO中間層はスピン流源との相互拡散やシャンティングを防ぐことでスピン流注入効率を上げることができる．しかし一方で，NiO中間層は寄生抵抗として働くことでTMR比の減少させ，SOT-MRAMの読み出し性能を劣化させてしまう．
そこで本研究ではサファイア基板上に製膜したBiSb/NiO/ Co/Ptの接合において，4端子法による垂直方向の抵抗を測定することで，TMR比の劣化のNiO膜厚依存性を定量的に評価した．