[23a-B202-1~12] 17.2 グラフェン

[23a-B202-5] hBN/グラフェンヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端の起源

〇影島 博之¹、Wang Shengnan²、日比野 浩樹³ (1.島根大院自然、2.NTT物性科学基礎研、3.関西学院大工)

キーワード：グラフェン、hBN、成長理論

我々は、実験的にhBN/グラフェンの縦型ヘテロ構造と横型ヘテロ構造のCVD成長による作り分けに成功したが、その理由としての成長方向選択性制御の起源が先に成長した島のエッジのH終端の有無にあることを、第一原理計算の結果を基に提案してきた。しかし、エッジへのH吸着を比較したところ、グラフェン島とhBN島で決定的な違いが無く、結果が矛盾してしまっている状況にある。今回はこの矛盾を解く鍵を、引き続き第一原理計算を用いて探求した。