[23a-B204-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-B204-10] Effect of surface treatment on AlGaN/GaN MIS-HEMTs after forming the recess structure

〇(M2)Keitaro Toda¹, Toshiharu Kubo¹, Takashi Egawa¹ (1.NITech)

Keywords:GaN, ALD, HEMT

MIS-HEMTに用いる絶縁体としては、Al₂O₃やSiO₂のようにバンドギャップが大きい酸化物が適しており、特にAl₂O₃とSiO₂を用いて2層絶縁膜を形成することにより、I/Sの界面特性が良く、I_gの低いMIS構造を作製することができる。
本研究では、リセス構造形成時のエッチングダメージを軽減することを目的とし、リセスエッチング後にHCl処理とアニール処理を行ったSiO₂/Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTを作製し、表面状態と電気特性を評価した。