[23a-B204-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-B204-11] Analysis for depletion width in AlGaN/GaN heterostructures under Ohmic-metals by using multi-probe-Hall and high-frequency measurements

〇kazuya Uryu^1,2, Toshi-kazu Suzuki¹ (1.JAIST, 2.ATL)

Keywords:AlGaN/GaN heterostructure, Ohmic contact, multi-probe Hall measurement

我々は, 多端子ホール素子を用いてオーミック金属下AlGaN/GaN ヘテロ構造の電気的特性を評価し, シート電子密度が大きく増加していることを見出した. このことは, オーミック金属下AlGaN/GaN ヘテロ構造の空乏層幅が短くなっていることを示唆している. 本報告では多端子ホール測定およびフローティングコンタクトの高周波測定により, オーミック金属下AlGaN/GaN ヘテロ構造の空乏層幅を解析した.