[23a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-B204-4] Fe，CまたはMnを添加した半絶縁性GaN基板上に作製したAlGaN/GaN HEMTの室温における電気的特性評価

〇田中 大貴¹、磯 憲司^2,3、三浦 輝紀^2,3、安藤 裕二^1,3、須田 淳^1,3 (1.名大院工、2.三菱ケミカル、3.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、AlGaN/GaN HEMT、GaN基板

AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタ（HEMT）の更なる高性能化に向け，GaN基板上GaN-HEMTの開発に取り組んでいる．通常HEMT には絶縁性基板が用いられ，GaN基板の場合は深いアクセプタ準位による補償を用いて半絶縁性を実現する．補償準位を形成するドーパントとしてFe，C，Mn などの報告があるが，CやMnドープ基板上にHEMTを作製した報告はほとんどない．本研究では，Fe，CまたはMnドープGaN基板上にHEMTを作製し，室温における電気的特性を評価した．