[23a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-B204-7] 高自発分極AlScN膜の導入によるGaN HEMTのしきい値変化

〇野中 隆聖¹、星井 拓也¹、若林 整¹、筒井 一生²、角嶋 邦之¹ (1.東工大工学院、2.東工大科学技術創生研究科)

キーワード：窒化アルミニウムスカンジウム、しきい値、高電子移動度トランジスタ

GaN-HEMTはAlGaN/GaNヘテロ構造の自発分極の違いにより高移動度を有する2次元電子ガス(2DEG)を誘起することができる。そのため、負のしきい値を有するデバイスとなり、リセスを形成するなどしてしきい値の制御を行っている。最近、AlScN膜で100mC/cm²高い自発分極を示すことがわかり、GaN-HEMTのしきい値の大きなシフトに利用できる可能性が示唆されている。本研究ではリセスを形成したGaN-HEMTに対して高自発分極膜を形成して、しきい値に与える影響を調査したので報告する。