[23a-B204-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-B204-8] Fabrication of GaN/3C-SiC on-diamond HEMT structure for high output power devices

〇Ryo Kagawa¹, Naoteru Shigekawa², Jianbo Liang², Keisuke Kawamura³, Yoshiki Sakaida³, Sumito Ouchi³, Uratani Hiroki³, Yasuo Shimizu⁴, Yutaka Ohno⁴, Yusuke Nagai⁴ (1.Osaka City Univ., 2.Osaka Metropolitan Univ., 3.Air Water inc., 4.IMR Tohoku Univ.)

Keywords:Heat dissipation, GaN, Diamond

GaN-HEMTsの過度な自己発熱が、デバイス性能や信頼性の劣化が問題となっている。本研究発表では、GaN-HEMTを高い熱伝導率を有するダイヤモンド基板に転送し、ダイヤモンド上に作製した on-diamond HEMTs の放熱特性、電気特性に関して報告する。