[23a-C101-1~12] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[23a-C101-11] Temperature dependent J-V and C-V properties of Ni/Mg₂Si Schottky diode

〇Makoto Chiba¹, Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:semiconductor, Schottky contact

我々は、Mg₂Siを用いた安価かつ低毒性の民生用の短波長赤外線センサの開発を行なっている。これまでにn型Mg₂Si(111)/Auショットキー接合の、J-V特性評価によって、Mg₂Siの電子親和力として4.51[eV]が見積もられている。今回、表面研磨したMg₂Si基板上にNiショットキーダイオードを作製し、J-V特性とC-V特性の温度依存性の評価を行い、CV特性の温度依存性を用いてショットキー障壁高さの解析を行ったので報告する。