[23a-C101-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23a-C101-5] スパッタ法による高ホール密度p型B-doped BaSi₂膜の作製

〇長谷部 隼¹、木戸 一輝¹、竹中 晴紀¹、召田 雅実²、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

キーワード：半導体、スパッタリング、太陽電池