2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23a-C101-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2022年9月23日(金) 09:00 〜 12:15 C101 (C101)

鵜殿 治彦(茨城大)、立岡 浩一(静大)

10:45 〜 11:00

[23a-C101-7] SiO2/β-FeSi2/SiO2 積層構造における 1.5 μm 発光の評価

吉原 怜1、大石 結也1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)

キーワード:β-FeSi2、シリサイド半導体

β-FeSi2は光通信波長帯用の新規材料として期待されている.しかし,そのPL強度は高温側で消失する問題がある.その原因の一つに,β-FeSi2/Siヘテロ界面では価電子帯オフセットが小さく,正孔の閉じ込めが弱いことがあげられる.一方,β-FeSi2/SiO2では強い正孔閉じ込めが期待される.そこで本研究では, SiO2/β-FeSi2積層構造を作製し,その1.5 μm発光を評価したので報告する.