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[23a-C101-8] Si/β-(Fe1-xRux)Si2/Si積層構造における1.5 µm発光強度の温度依存性
キーワード:β-FeSi2、シリサイド半導体
β-FeSi2は光通信波長帯で発光するため,新規光源材料として期待されている.しかし,室温で十分なPL強度が得られていない.そこで,Feの一部をRuで置換し,混晶化による遷移確率の増大を目指している.しかし混晶化は発光特性に悪影響をおよぼす可能性がある.本研究では,β-(Fe1-xRux)Si2試料でPLスペクトルの温度依存性を測定し,Ru添加による非輻射遷移過程の増加の有無について検証した.