[23a-C106-1~8] 12.2 評価・基礎物性

[23a-C106-7] オペランドKFM計測による有機アンチ・アンバイポーラトランジスタのキャリア伝導機構評価

〇竹入 聡一郎^1,2、早川 竜馬¹、山田 洋一²、若山 裕¹ (1.物材機構、2.筑波大数理)

キーワード：有機アンチ・アンバイポーラトランジスタ、オペランド表面電位顕微鏡、キャリア伝導機構

有機アンチ・アンバイポーラトランジスタは、負性抵抗に類似した電気特性を室温で示す。本講演では、その動作機構についてオペランド表面電位計測から議論した。ドレイン電流が増加するゲート電圧では、電子およびホール伝導によりp型、n型半導体伴に電位が変化した。一方、負性抵抗領域では、片方の半導体でのみ電位勾配が生じ、半導体層が空乏化することによりキャリアの流れが阻害されることが分かった。