[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-10] MOCVD法によるZnO/ZnO:Ga超格子の作製

〇(M2)乗松 賢¹、吉田 俊幸¹、Jie Lin²、藤田 恭久^1,2 (1.島根大院自然科学、2.（株）SNCC)

キーワード：蛍光体

MOCVDを使用して蛍光体材料として単結晶サファイアa面基板上にアンドープZnO層とGaドープZnO層の順番で成長し、ZnO/ZnO:Ga超格子構造を作製した。