[23a-P06-1~28] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23a-P06-14] Work function measurement for InGaZnO thin films with different atomic ratio using photoelectron yield spectroscopy in air

〇Yuta Watanabe¹, Toshiki Nakanowatari¹, Yoshiaki Hattori¹, Masatoshi Kitamura¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:InGaZnO, In5GaZnO10, photoelectron yield spectroscopy in air

近年，InGaZnOを半導体層に用いた薄膜トランジスタは，フラットパネルディスプレイに応用され、注目されている．このように注目を集めるInGaZnOであるが，単結晶Siに比べるとそのエネルギーバンド構造については明らかでない点もある．本研究では，AlTi合金上のInGaZnO₄薄膜とIn₅GaZnO₁₀薄膜について，大気中光電子収量分光法により得られたスペクトルより仕事関数を求め，比較したのでそれについて報告する．