[23a-P06-1~28] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23a-P06-2] Impact of Gas Type on Formation of Twin Structure in the Growth of α-Ga₂O₃ by Mist Chemical Vapor Deposition

〇(M2)Rie Yamada¹, Atsushi Kobayashi², Kohei Ueno², Atsushi Sekiguchi¹, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹, Hiroshi Fujioka², Tomohiro Yamaguchi¹ (1.Kogakuin Univ., 2.Tokyo Univ.)

Keywords:gallium oxide, mist CVD, twin structure

近年, コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga₂O₃)はバンドギャップエネルギーが大きいことから深紫外検出器への応用に期待されている. α-Ga₂O₃はミストCVD法やHVPE法などの成長手法を用いて得られている. サファイア基板上に直接成長したα-Ga₂O₃において面内方位制御された単結晶膜の報告がなされているが, 双晶がわずかに混在して成長することも報告されている. 本研究では, α-Al₂O₃基板上α-Ga₂O₃のミストCVD成長においてガス種(O₂またはN₂)による双晶の形成への影響を検討した.