[23a-P06-1~28] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23a-P06-21] The role of nitrogen dopants in ZnO nanoparticle based LED

〇Takuma Akazawa¹, Raj Deep¹, Toshiyuki Yoshida¹, Yasuhisa Fujita¹ (1.Shimane Univ. Nat. Sci&Technol)

Keywords:Light Emitting Diode, ZnO

酸化亜鉛(ZnO)は3.37 eVのバンドギャップをもつ直接遷移型半導体で資源が豊富であるため発光ダイオード(LED)の材料として注目されている. ZnO には p 型化が難しいという課題があるが本研究室では窒素ドープ p 型 ZnO ナノ粒子の開発に成功している．しかし，ナノ粒子単体の伝導特性を測定することは困難であるため，窒素ドーパントが p 型特性にどのような役割を果たしているかが不明であった．本研究では，粒子の生成条件を変えて窒素濃度が異なる ZnO ナノ粒子を作製し，窒素濃度とフォトルミネッセンス(PL)におけるドナ‐アクセプタ対(DAP)発光，LED 特性との関係を調べた．その結果，窒素濃度が高いほど PL の DAP 発光と LED の EL 発光が高いことがわかった．