2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-1~28] 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

2022年9月23日(金) 09:30 〜 11:30 P06 (体育館)

09:30 〜 11:30

[23a-P06-21] 酸化亜鉛ナノ粒子塗布型 LED における窒素ドーパントの役割

赤沢 拓真1、Raj Deep1、吉田 俊幸1、藤田 恭久1 (1.島根大院自然科学)

キーワード:発光ダイオード、酸化亜鉛

酸化亜鉛(ZnO)は3.37 eVのバンドギャップをもつ直接遷移型半導体で資源が豊富であるため発光ダイオード(LED)の材料として注目されている. ZnO には p 型化が難しいという課題があるが本研究室では窒素ドープ p 型 ZnO ナノ粒子の開発に成功している.しかし,ナノ粒子単体の伝導特性を測定することは困難であるため,窒素ドーパントが p 型特性にどのような役割を果たしているかが不明であった.本研究では,粒子の生成条件を変えて窒素濃度が異なる ZnO ナノ粒子を作製し,窒素濃度とフォトルミネッセンス(PL)におけるドナ‐アクセプタ対(DAP)発光,LED 特性との関係を調べた.その結果,窒素濃度が高いほど PL の DAP 発光と LED の EL 発光が高いことがわかった.