[23a-P06-1~28] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23a-P06-24] Characterization of In₅GaZnO₁₀ thin-film transistors

〇Toshiki Nakanowatari¹, Yuta Watanabe¹, Yoshiaki Hattori¹, Masatoshi Kitamura¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:InGaZnO, In5GaZnO10, Thin-Film Transistor

近年，薄膜トランジスタ(TFT)の半導体材料としてアモルファスシリコン(a-Si)やポリシリコン(poly Si)に代わりInGaZnOが注目されており，InGaZnOをチャネル層とするTFTがフラットパネルディスプレイですでに使用されている．最近では，原子層堆積法によるIn比率が高いInGaZnOで，高い電界効果移動度が報告されている．そこで，本研究では，スパッタリングによるIn₅GaZnO₁₀をチャネル層に用いたTFTの特性を調べたのでそれについて報告する．