[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-3] β-Ga2O3(001)表面のステップ-テラス形成およびエピタキシーへの応用

〇村上 翔平¹、關 裕介¹、岡田 有史¹、角野 広平¹ (1.京工繊大工芸)

キーワード：走査プローブ顕微鏡、酸化ガリウム、表面構造

熱処理したβ-Ga2O3の上にNiOを成長させ、表面構造を原子間力顕微鏡と走査型トンネル顕微鏡で観察した。また、X線光電子分光法により試料表面近傍の化学組成と電子状態を調べた。バルク特性は光吸収・発光スペクトルより調べた。原子レベルで平坦な(001)表面を形成するのに適した熱処理温度は(-201)の場合よりも高く、多くの場合、粒子やアイランドがテラスに残っていた。非常に薄く成長させたNiOの表面は、作製法によらず粒状の形態を示した。