[23a-P06-1~28] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23a-P06-9] Growth of single-crystalline ZnO layer by sputter epitaxy method (Ⅴ)

〇Hyuga Kimura¹, Ryota Misawa¹, Keisuke Yoshida¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:sputter, ZnO, zinc oxide

我々は，UHVスパッタエピタキシー法を用いてオフ角の異なるサファイア基板上にZnO層の成長を行ってきた．α-Al₂O₃(0001)基板（オフ角：0.2 º，0.02 º ）上に成長したZnO層のXRDパターンから，オフ角が0.2 ºにおいて優れた結晶性を有していることが解った．しかし，p型の伝導性を有したZnO層の実現には至っていない．そこで，Nドープによるp型化を目的に，反応ガスのArにN₂を添加させてZnO層の成長を行ったのでその結果について検討した．