[23p-B203-1~13] 17.3 Layered materials

[23p-B203-1] Gate Effects of ML-WTe₂/Superconductor Devices toward Topological Josephson Junctions

〇Masayuki Hosoda^1,2, Russell S. Deacon¹, Michael D. Randle¹, Shota Okazaki³, Takao Sasagawa³, Takashi Taniguchi⁴, Kenji Watanabe⁴, Manabu Ohtomo², Kenichi Kawaguchi², Shintaro Sato², Koji Ishibashi¹ (1.RIKEN, 2.Fujitsu, 3.Tokyo Tech, 4.NIMS)

Keywords:Tungsten ditelluride, Field effect, Transition metal dichalcogenide

2次元トポロジカル絶縁体(2DTI)である単層WTe₂は、超伝導体との接合によってマヨラナ準粒子が発現する系になり得るとの理論予測から、ロバストな量子計算に向けたトポロジカル量子ビットの候補材料として期待されている。超伝導体/単層WTe₂/超伝導体構造はマヨラナ準粒子に有効な系と考えられるが、その実現には、接合界面に形成されるトンネル障壁をいかに抑制するか等課題が多い。接合界面の特性を制御・改善する手段としてWTe₂への電界効果に着目し、いくつかジオメトリの異なるゲート付きデバイスを試作し、それらの低温輸送特性を評価した。