The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

Presentation information

Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.3 Layered materials

[23p-B203-1~13] 17.3 Layered materials

Fri. Sep 23, 2022 1:30 PM - 5:00 PM B203 (B203)

Kosuke Nagashio(Univ. of Tokyo), Okada Susumu(Univ. of Tsukuba)

4:00 PM - 4:15 PM

[23p-B203-10] Electronic states of atomic-layer MoTe2 thin film studied by
micro ARPES

Katsuaki Sugawara1,2,3, Yasuaki Saruta1, Hirofumi Oka1, Tappei Kawakami1, Takemi Kato1, Kosuke Nakayama1,3, Seigo Souma2,4, Miho Kitamura5, Koji Horiba6, Hiroshi Kumigashira7, Takashi Takahashi1, Tomoteru Fukumura1,4, Takafumi Sato1,2,4,8 (1.Grad. Sch. Sci., Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR, Tohoku Univ., 3.JST-PRESTO, 4.CSIS, Tohoku Univ., 5.KEK-IMSS-PF, 6.QST, 7.IMRAM, Tohoku Univ., 8.SRIS, Tohoku Univ.)

Keywords:MBE, u-ARPES, TMDs

遷移金属ダイカルコゲナイドMoTe_2_は、三角プリズム型構造(1H相)と歪んだ正八面体型構造(1T’相)の2種類の結晶構造を有することが知られており、これらを原子層化した際の次元性の変化に伴う新奇物性が期待されている。今回我々は、MBE法により成長条件を精密制御したMoTe_2_原子層薄膜を作製し、高分解能ARPESによる電子状態観測を行った。講演では、1H/1T’相では予言されない特異な電子状態について報告し、その起源について議論する。