[23p-B203-1~13] 17.3 層状物質

△ [23p-B203-11] マイクロ集光軟X線角度分解光電子分光によるワイドギャップ半導体h-BN薄片のバルク電子状態観測

〇(DC)田中 宏明¹、小林 賢²、福島 優斗¹、新井 陽介¹、飯盛 拓嗣¹、山神 光平³、小谷 佳範³、小森 文夫⁴、黒田 健太⁵、近藤 猛¹、笹川 崇男² (1.東大物性研、2.東工大フロンティア研、3.JASRI、4.東大生産研、5.広島大先進理工)

キーワード：角度分解光電子分光、ワイドギャップ半導体

角度分解光電子分光(ARPES)は光電効果を利用して電子状態の直接観測を行う手法であるが、光電子放出に伴う電荷補償のための導電性が必要である。このため絶縁体やワイドギャップ半導体のARPES測定は通常不可能であるが、試料を100 nm程度まで薄くし電気抵抗を下げることで光電子分光測定を行う手法が最近報告された。この方法によりワイドギャップ半導体h-BNのバルク電子状態観測を行った実験について報告する。