The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.3 Layered materials

[23p-B203-1~13] 17.3 Layered materials

Fri. Sep 23, 2022 1:30 PM - 5:00 PM B203 (B203)

Kosuke Nagashio(Univ. of Tokyo), Okada Susumu(Univ. of Tsukuba)

2:30 PM - 2:45 PM

[23p-B203-5] Twist-angle dependence of resonant tunneling between quantized subbands in 4-layer WSe2

Kei Kinoshita1, Rai Moriya1, Shota Okazaki2, Yijin Zhang1, Satoru Masubuchi1, Kenji Watanabe3, Takashi Taniguchi3,1, Takao Sasagawa2, Tomoki Machida1,4 (1.IIS Univ. Tokyo, 2.MSL Tokyo Tech., 3.NIMS, 4.CREST-JST)

Keywords:resonant tunneling, TMD, twist

本研究では、4層WSe2/数層h-BN/4層WSe2のトンネル接合で、WSe2間のツイスト角度が0・30・60度のデバイスのI-V特性を比較した。
WSe2にホールを蓄積させてI-V特性を測定すると複数の共鳴トンネルピークが現れ、ピーク位置にツイスト角度依存性は無かった。一方、WSe2に電子を蓄積させた場合、ツイスト角度によって共鳴ピークの位置は大きく異なっていた。これは、電子側のサブバンドがQ点(Γ点とK点の間)にあることに起因すると考えられる。