The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.3 Layered materials

[23p-B203-1~13] 17.3 Layered materials

Fri. Sep 23, 2022 1:30 PM - 5:00 PM B203 (B203)

Kosuke Nagashio(Univ. of Tokyo), Okada Susumu(Univ. of Tsukuba)

2:45 PM - 3:00 PM

[23p-B203-6] Negative differential resistance in bulk p+-MoS2/h-BN/bulk p+-MoS2 tunnel junctions

Seiya Kawasaki1, Kei Kinoshita1, Rai Moriya1, Yijin Zhang1, Satoru Masubuchi1, Kenji Watanabe2, Takashi Taniguchi2,1, Takao Sasagawa3, Tomoki Machida1,4 (1.IIS Univ. Tokyo, 2.NIMS, 3.MSL Tokyo Tech., 4.CREST-JST)

Keywords:resonant tunneling, TMD, negative differential resistance

本研究では、膜厚14 nm、28 nmのp+-MoS2を用いてp+-MoS2 /数層h-BN /p+-MoS2 のトンネル接合デバイスを作製し、共鳴トンネルおよび負性微分抵抗(NDR)の観測に成功した。 NDRは価電子帯 Γ 点に存在するバンド間のギャップの位置で現れており、Γ 点から Γ 点への波数保存した共鳴トンネルが起きていることが示唆される。本研究は、メカニカル劈開で容易に入手できるバルクのp+-MoS2を使用し、かつp+-MoS2間のツイスト角度を制御する必要がないという点で、デバイス応用上有利であると考えられる。