2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[23p-B203-1~13] 17.3 層状物質

2022年9月23日(金) 13:30 〜 17:00 B203 (B203)

長汐 晃輔(東大)、岡田 晋(筑波大)

14:45 〜 15:00

[23p-B203-6] バルクp+-MoS2/h-BN/バルクp+-MoS2トンネル接合における負性微分抵抗の観測

川崎 盛矢1、木下 圭1、守谷 頼1、張 奕勁1、増渕 覚1、渡邊 賢司2、谷口 尚2,1、笹川 崇男3、町田 友樹1,4 (1.東大生研、2.物材機構、3.東工大フロンティア研、4.CREST-JST)

キーワード:共鳴トンネル、TMD、負性微分抵抗

本研究では、膜厚14 nm、28 nmのp+-MoS2を用いてp+-MoS2 /数層h-BN /p+-MoS2 のトンネル接合デバイスを作製し、共鳴トンネルおよび負性微分抵抗(NDR)の観測に成功した。 NDRは価電子帯 Γ 点に存在するバンド間のギャップの位置で現れており、Γ 点から Γ 点への波数保存した共鳴トンネルが起きていることが示唆される。本研究は、メカニカル劈開で容易に入手できるバルクのp+-MoS2を使用し、かつp+-MoS2間のツイスト角度を制御する必要がないという点で、デバイス応用上有利であると考えられる。