[23p-B203-1~13] 17.3 Layered materials

[23p-B203-6] Negative differential resistance in bulk p⁺-MoS₂/h-BN/bulk p⁺-MoS₂ tunnel junctions

〇Seiya Kawasaki¹, Kei Kinoshita¹, Rai Moriya¹, Yijin Zhang¹, Satoru Masubuchi¹, Kenji Watanabe², Takashi Taniguchi^2,1, Takao Sasagawa³, Tomoki Machida^1,4 (1.IIS Univ. Tokyo, 2.NIMS, 3.MSL Tokyo Tech., 4.CREST-JST)

Keywords:resonant tunneling, TMD, negative differential resistance

本研究では、膜厚14 nm、28 nmのp⁺-MoS₂を用いてp⁺-MoS₂ /数層h-BN /p⁺-MoS₂ のトンネル接合デバイスを作製し、共鳴トンネルおよび負性微分抵抗（NDR）の観測に成功した。 NDRは価電子帯 Γ 点に存在するバンド間のギャップの位置で現れており、Γ 点から Γ 点への波数保存した共鳴トンネルが起きていることが示唆される。本研究は、メカニカル劈開で容易に入手できるバルクのp⁺-MoS₂を使用し、かつp⁺-MoS₂間のツイスト角度を制御する必要がないという点で、デバイス応用上有利であると考えられる。