[23p-B203-1~13] 17.3 層状物質

[23p-B203-6] バルクp⁺-MoS₂/h-BN/バルクp⁺-MoS₂トンネル接合における負性微分抵抗の観測

〇川崎 盛矢¹、木下 圭¹、守谷 頼¹、張 奕勁¹、増渕 覚¹、渡邊 賢司²、谷口 尚^2,1、笹川 崇男³、町田 友樹^1,4 (1.東大生研、2.物材機構、3.東工大フロンティア研、4.CREST-JST)

キーワード：共鳴トンネル、TMD、負性微分抵抗

本研究では、膜厚14 nm、28 nmのp⁺-MoS₂を用いてp⁺-MoS₂ /数層h-BN /p⁺-MoS₂ のトンネル接合デバイスを作製し、共鳴トンネルおよび負性微分抵抗（NDR）の観測に成功した。 NDRは価電子帯 Γ 点に存在するバンド間のギャップの位置で現れており、Γ 点から Γ 点への波数保存した共鳴トンネルが起きていることが示唆される。本研究は、メカニカル劈開で容易に入手できるバルクのp⁺-MoS₂を使用し、かつp⁺-MoS₂間のツイスト角度を制御する必要がないという点で、デバイス応用上有利であると考えられる。