[23p-B204-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23p-B204-2] N極性面上低温成膜Ge添加GaNスパッタ膜の電気的特性評価

〇山田 真嗣¹、白井 雅紀²、小林 宏樹²、上村 隆一郎²、新井 学¹、加地 徹¹、須田 淳¹ (1.名大、2.アルバック)

キーワード：窒化ガリウム、スパッタリング、電気的特性評価

GaN縦型パワーデバイスの裏面コンタクト抵抗の低減に向けて、窒素(N)極性面GaN基板上への高濃度n型GaNスパッタ膜形成技術の開発を行っている。一般的に、GaNのn型ドーパントはSiやGeが用いられるが、Geの方がより高濃度添加が可能である。本発表では、デバイスプロセスに適用可能な低温成膜Ge添加GaNスパッタ膜を検討し、その表面形態や電気的特性の評価を行ったので、報告する。