[23p-B204-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23p-B204-3] 異なるキャリア濃度を有するn型GaNに対する多光子励起PECエッチングの調査

〇丹羽 ののか¹、川崎 晟也¹、隈部 岳瑠¹、渡邉 浩崇²、古澤 優太²、田中 敦之²、出来 真斗³、久志本 真希¹、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.名大ARC)

キーワード：窒化ガリウム

PEC(Photo Enhanced Chemical)エッチング法によるGaNのダメージレスな加工が可能である. しかし, この手法ではGaNの複雑な3次元構造を作製するのが難しい. そこで我々はGaNを局所的, 3次元的に励起する多光子励起PECエッチング法を用いたより自由度の高い手法を提案している. 3次元加工を実現するためにはエッチングレートを制御する必要がある. 本手法の制御性について調べるためエッチングレートのGaNキャリア濃度依存性について報告する.