[23p-B204-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [23p-B204-6] 高エネルギー粒子線照射により窒化ガリウム中に形成される電子トラップの生成レートとNIELの相関

〇青島 慶人¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：変位関連欠陥、生成レート、原子核阻止能

高エネルギー粒子線によって物質中に形成されるトラップの生成レートは、粒子線による電子デバイスの特性劣化を予測するために重要である。粒子線が結晶原子のはじき出しにより損失するエネルギーはNIELにより定量化される。本研究では、様々な粒子線照射によってn型GaN中に形成されたトラップの生成レートをNIELの観点から比較することで、トラップの起源の特定および粒子線の種類やエネルギーによらない生成レートの予測を目指した。