[23p-C101-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [23p-C101-12] X線逆格子マッピングによる不純物ドープGaAsNの評価

〇井上 洸¹、角田 拓優¹、塚崎 貴司¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：半導体

GaAsNを用いたデバイスを作製する際には、不純物ドープGaAsNが必要であるので、その結晶性の評価が必要不可欠である。今回は、逆格子マッピングを用いて不純物ドープGaAsNを評価した結果について報告する。