[23p-C101-1~12] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[23p-C101-7] Single crystal growth and physical properties of NaAlGe

〇Takahiro Yamada¹, Daigorou Hirai², Tamio Oguchi³, Hisanori Yamane¹, Zenji Hiroi⁴ (1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.Sch. Eng., Nagoya Univ., 3.CSRN, Osaka Univ., 4.ISSP, Univ. of Tokyo)

Keywords:semimetal, single crystal, pseudo-gap

NaAlGeは，ノーダルライン半金属超伝導体であるNaAlSi（転移温度~7 K）と同じ逆PbFCl型構造で類似の電子構造を有するノーダルライン半金属であることが理論計算により示されている．実験的には，多結晶体試料を用いた磁化率測定により1.8 K以上では超伝導を示さないことが報告されているが，詳細な物性の評価は行われていない．本研究では，Na-Gaフラックスを用いてNaAlGeの単結晶を合成し，電気抵抗率，磁化率および比熱測定により物性評価を行なった.その結果，NaAlGeは低温でフェルミ準位付近に擬ギャップが形成されることが強く示唆された．