2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23p-C101-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2022年9月23日(金) 13:45 〜 17:00 C101 (C101)

末益 崇(筑波大)、寺井 慶和(九工大)

15:30 〜 15:45

[23p-C101-7] NaAlGe単結晶の合成と物性特性評価

山田 高広1、平井 大悟郎2、小口 多美夫3、山根 久典1、広井 善二4 (1.東北大多元研、2.名大工、3.阪大CSRN、4.東大物性研)

キーワード:半金属、単結晶、擬ギャップ

NaAlGeは,ノーダルライン半金属超伝導体であるNaAlSi(転移温度~7 K)と同じ逆PbFCl型構造で類似の電子構造を有するノーダルライン半金属であることが理論計算により示されている.実験的には,多結晶体試料を用いた磁化率測定により1.8 K以上では超伝導を示さないことが報告されているが,詳細な物性の評価は行われていない.本研究では,Na-Gaフラックスを用いてNaAlGeの単結晶を合成し,電気抵抗率,磁化率および比熱測定により物性評価を行なった.その結果,NaAlGeは低温でフェルミ準位付近に擬ギャップが形成されることが強く示唆された.