[23p-C102-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[23p-C102-12] 2段階酸化によるGeO₂膜の作製と評価

〇斉藤 基¹、土屋 雄太¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体