[23p-C102-1~14] 13.3 絶縁膜技術

△ [23p-C102-4] フッ化グラフェンを用いた不揮発性メモリの電荷捕獲特性

〇(M1)川島 理乃¹、野平 博司¹、石川 亮佑¹、三谷 祐一郎¹ (1.東京都市大学)

キーワード：フッ化グラフェン、荷電中心

2次元材料のグラフェンにフッ化処理を加えると、その性質は導体膜から絶縁膜から絶縁膜へと変化する。フッ化グラフェンを電荷捕獲層に用いたフレキシブル不揮発性メモリが提案され、動作することが既に報告されている。しかし、フッ化グラフェンへの電荷捕獲のメカニズムは十分に明らかにされていない。そこで本研究では、フッ化グラフェンを挿入したMISキャパシタを試作し、電気特性から電荷捕獲について詳細な検討を行った。