[23p-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [23p-C200-6] Stray light reduction in monolithic Micro LED arrays

〇Yuta Imaizumi¹, Tatsunari Saito¹, Tsuyoshi Nagasawa¹, Yoshinobu Suehiro¹, Norikatsu Koide¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹ (1.Meijo Univ)

Keywords:semiconductor, Gallium nitride, Micro LED

Micro LEDアレイは液晶，有機ELに次ぐ次世代ディスプレイとして注目されている．特にモノリシック化できれば，高精細・高臨場感ディスプレイへの応用が可能である．その一方で，半導体・基板内を光が伝搬することによって点灯させた箇所以外が発光する疑似発光の抑制が課題となる．本研究では従来LEDの光取り出し効率向上に用いられているPSS(Patterned Sapphire Substrate)を用いることにより，迷光の抑制が確認できたため報告する．